国家统计局:2025年全国居民人均可支配收入43377元,比上年增长5.0%

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2026年01月19日

(原标题:国家统计局:2025年全国居民人均可支配收入43377元,比上年增长5.0%)

国家统计局:2025年全国居民人均可支配收入43377元,比上年增长5.0%
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据国家统计局网站消息,1月19日,国家统计局发布2025年居民收入和消费支出情况。

一、居民收入情况

2025年,全国居民人均可支配收入43377元,比上年名义增长5.0%,扣除价格因素,实际增长5.0%。分城乡看,城镇居民人均可支配收入56502元,增长(以下如无特别说明,均为同比名义增长)4.3%,扣除价格因素,实际增长4.2%;农村居民人均可支配收入24456元,增长5.8%,扣除价格因素,实际增长6.0%。

按收入来源分,2025年,全国居民人均工资性收入24555元,增长5.3%,占人均可支配收入的比重为56.6%;人均经营净收入7252元,增长5.0%,占人均可支配收入的比重为16.7%;人均财产净收入3490元,增长1.6%,占人均可支配收入的比重为8.0%;人均转移净收入8080元,增长5.7%,占人均可支配收入的比重为18.6%。

2025年,全国居民人均可支配收入中位数36231元,增长4.4%,中位数是平均数的83.5%。其中,城镇居民人均可支配收入中位数51115元,增长3.7%,中位数是平均数的90.5%;农村居民人均可支配收入中位数20711元,增长5.6%,中位数是平均数的84.7%。

图1 2025年全国及分城乡居民人均可支配收入

二、居民消费支出情况

2025年,全国居民人均消费支出29476元,比上年名义增长4.4%,扣除价格因素,实际增长4.4%。分城乡看,城镇居民人均消费支出35869元,增长3.8%,扣除价格因素,实际增长3.7%;农村居民人均消费支出20259元,增长5.1%,扣除价格因素,实际增长5.3%。

2025年,全国居民人均食品烟酒消费支出8631元,增长2.6%,占人均消费支出的比重为29.3%;人均衣着消费支出1554元,增长2.2%,占人均消费支出的比重为5.3%;人均居住消费支出6397元,增长2.1%,占人均消费支出的比重为21.7%;人均生活用品及服务消费支出1667元,增长7.7%,占人均消费支出的比重为5.7%;人均交通通信消费支出4306元,增长8.3%,占人均消费支出的比重为14.6%;人均教育文化娱乐消费支出3489元,增长9.4%,占人均消费支出的比重为11.8%;人均医疗保健消费支出2573元,增长1.0%,占人均消费支出的比重为8.7%;人均其他用品及服务消费支出859元,增长11.2%,占人均消费支出的比重为2.9%。

图2 2025年居民人均消费支出及构成


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IGBT产业发展现状及市场规模分析2024 2024年5月14日 来源:互联网 1282 84 IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。受益于新能源行业的快速发展和技术创新的推动,IGBT行业的市场规模将持续增长。图片来源于网络,如有侵权,请联系删除 近年来,IGBT行业市场规模持续扩大,并呈现出稳健的增长态势。这主要得益于全球能源结构的转型以及电动汽车、智能电网、工业控制等领域的快速发展,对高效能和高可靠性功率转换设备的需求不断增长。 IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,集合了MOSFET开关速度快、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小和BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点,能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等,以实现精准调控的目的。根据封装形式的不同,可以分为IGBT单管和IGBT模块,由一个IGBT芯片和一个FRD续流二极管芯片封装组成的是IGBT单管,由多个IGBT芯片和多个FRD续流二极管芯片封装组成的是IGBT模块。 IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见;IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。 作为电力电子重要大功率主流器件之一,IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。在工业应用方面,如交通控制、功率变换、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备,以及用于自动控制的变频器。在消费电子方面,IGBT用于家用电器、相机和手机。 IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,其产品水平为1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于变频调速外,600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB,用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB,大大降低电路接线电感,进步系统效率,现已开发成功第二代IPEM,其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热门。 根据中研普华产业研究院发布的《》显示: 根据数据显示,2019年至2021年,我国IGBT行业的产量分别为1550万只、2020万只和2580万只,预计至2023年,我国IGBT的产量将增长至3624万只。此外,据《国内IGBT模块市场发展趋势报告》预测,到2029年,全球IGBT模块市场规模将会达到765.36亿元,中国IGBT模块市场规模也将持续扩大。 IGBT在新能源汽车、风能、太阳能、工业控制等领域都有广泛应用。特别是在新能源汽车领域,随着新能源市场的持续爆发,新能源应用有望成为IGBT需求增长最大的下游驱动力。根据中金企信统计数据,2020年我国IGBT在新能源汽车的应用占市场价值的28%,仅次于工业控制领域。预计2025年IGBT在新能源汽车应用市场占比将超过工业控制应用,成为我国IGBT第一大应用市场。 目前,IGBT技术正在向更高效率、更低损耗、更高可靠性等方向发展。新材料、新工艺的应用为IGBT的技术创新提供了更多可能性。此外,IGBT封装技术的进步也提高了产品的散热性和可靠性,满足了不同应用场景对性能的要求。 受益于新能源行业的快速发展和技术创新的推动,IGBT行业的市场规模将持续增长。预计在未来几年内,全球IGBT市场规模将继续保持高速增长态势。在国家政策的支持下,国内IGBT厂商将加速技术突破和产能布局,逐步实现国产替代。未来,国内厂商将占据更大的市场份额,成为IGBT行业的重要力量。 新能源汽车、风电、光伏等新能源领域将成为IGBT行业的主要增长点。随着这些领域的快速发展,IGBT的市场需求将持续增长,为行业带来广阔的市场空间。随着国产厂商的崛起和新能源领域的快速发展,IGBT行业的竞争格局将发生...