伟伟道来 | 美国和日本:远虑芯片,近忧稀土

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2026年01月14日

(原标题:伟伟道来 | 美国和日本:远虑芯片,近忧稀土)

伟伟道来 | 美国和日本:远虑芯片,近忧稀土
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1月12日,日本深海钻探船“地球号”从静冈市清水港出发,前往距东京1900公里的南鸟岛海域,对含有稀土的海底泥浆进行钻探试验。根据日本媒体的报道,南鸟岛周边稀土的储量高达1600万吨,全球排第三,其中用于电动汽车高强度磁铁的镝储量可供全球使用730年,用于激光的钇储量可供全球使用780年。

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1月13日,美国《纽约时报》发出独家报道,称特朗普政府接近与台湾当局达成贸易协议。作为协议的一部分,台积电承诺在美国亚利桑那州新建至少5座半导体工厂(晶圆厂)。香港《中评社》的报道称,“整体而言,预计台积电将在亚利桑那州建造约12座工厂。”

以上信息再一次验证了美国和日本面对中国时的远虑和近忧,远虑芯片,近忧稀土。

远虑,是因为看到“台独”带来的风险,预感到了两岸必将统一的大趋势。

《纽约时报》在其报道中指出:“但由于北京坚称台湾属于中国、终有一天应被纳入中国控制之下,这种对台湾的依赖显得愈发具有风险。中国已在台湾周边多次进行实弹演习,官员和企业界人士担忧,一旦发生入侵,可能会扰乱电子产品、汽车和武器的全球供应链(But relying on the island appears increasingly risky given Beijing’s assertion that Taiwan belongs to China and should one day be brought under Chinese control. China has done live-fire drills around the island, and officials and executives worry about the possibility of an invasion’s disrupting the global supply chains for electronics, cars and weaponry)。”

1月14日,香港《中评社》发表专论,题目是《美国急抢台积电,看到统一近了?》,该评论认为:“美国政府动作的背后也凸显,他们除了判断中国大陆必然会收回台湾,也无意为台湾出兵与中国开战。”

近忧,是因为全球稀土供应最大的开关在中国手里。

近几年,中国在稀土领域的每一次出手,美方高层都是大喊大叫,然后迅速展开与中国的沟通和磋商。

与美国不一样的是,日本将摆脱稀土依赖的想法付诸行动。

1月6日,中国有关方面宣布禁止向日本出口具有军民两用性质、可能用于军事用途的物项,其中就包括稀土。不到一周的时间,日本的钻探船就出发了。看得出日本有一种时不我待的急迫感。根据日本媒体的报道,如果此次钻探实验成功,日本有望于2027年2月对南鸟岛海域的稀土启动商业开采。

针对以上信息,笔者简要评述如下:

第一,美国日本的远虑和近忧,都和台湾问题有关。美国担心两岸一旦统一,其芯片供应会出现大问题。日本首相高市早苗关于“台湾有事”的错误言论,也提醒了中国,既然你想武力干涉中国的统一,中国凭什么继续提供稀土让你制造武器装备呢。从这个角度分析,在两岸实现统一、台湾问题不存在之后,中国与美国、日本在芯片和稀土上的矛盾将会得到一定程度的缓解。

第二,中国、美国、日本都在和时间赛跑。中国希望尽早解决台湾问题,美国希望在台湾问题被解决之前切走一半台积电,日本希望稀土不被“卡脖子”,同时惦记着“台湾有事”时可以干预中国的统一。这是一种高强度的赛跑,只有在台湾问题被解决之后,才会让三方在精神上得到放松。

第三,不可忽视市场规律的决定性作用。芯片和稀土,虽然受到台湾问题、受到地缘政治因素的掣肘,但是,只要大陆没有采取非和平方式等强力措施,只要两岸、中、美、日之间处在相对和平状态,那么,市场规律就是决定性的因素。从这个角度分析,日本的稀土开采、提炼,商业前景并不明朗;美国到底能否顺利切走一半台积电,也难以预料。

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IGBT产业发展现状及市场规模分析2024 2024年5月14日 来源:互联网 1282 84 IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。受益于新能源行业的快速发展和技术创新的推动,IGBT行业的市场规模将持续增长。图片来源于网络,如有侵权,请联系删除 近年来,IGBT行业市场规模持续扩大,并呈现出稳健的增长态势。这主要得益于全球能源结构的转型以及电动汽车、智能电网、工业控制等领域的快速发展,对高效能和高可靠性功率转换设备的需求不断增长。 IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,集合了MOSFET开关速度快、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小和BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点,能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等,以实现精准调控的目的。根据封装形式的不同,可以分为IGBT单管和IGBT模块,由一个IGBT芯片和一个FRD续流二极管芯片封装组成的是IGBT单管,由多个IGBT芯片和多个FRD续流二极管芯片封装组成的是IGBT模块。 IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见;IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。 作为电力电子重要大功率主流器件之一,IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。在工业应用方面,如交通控制、功率变换、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备,以及用于自动控制的变频器。在消费电子方面,IGBT用于家用电器、相机和手机。 IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,其产品水平为1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于变频调速外,600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB,用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB,大大降低电路接线电感,进步系统效率,现已开发成功第二代IPEM,其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热门。 根据中研普华产业研究院发布的《》显示: 根据数据显示,2019年至2021年,我国IGBT行业的产量分别为1550万只、2020万只和2580万只,预计至2023年,我国IGBT的产量将增长至3624万只。此外,据《国内IGBT模块市场发展趋势报告》预测,到2029年,全球IGBT模块市场规模将会达到765.36亿元,中国IGBT模块市场规模也将持续扩大。 IGBT在新能源汽车、风能、太阳能、工业控制等领域都有广泛应用。特别是在新能源汽车领域,随着新能源市场的持续爆发,新能源应用有望成为IGBT需求增长最大的下游驱动力。根据中金企信统计数据,2020年我国IGBT在新能源汽车的应用占市场价值的28%,仅次于工业控制领域。预计2025年IGBT在新能源汽车应用市场占比将超过工业控制应用,成为我国IGBT第一大应用市场。 目前,IGBT技术正在向更高效率、更低损耗、更高可靠性等方向发展。新材料、新工艺的应用为IGBT的技术创新提供了更多可能性。此外,IGBT封装技术的进步也提高了产品的散热性和可靠性,满足了不同应用场景对性能的要求。 受益于新能源行业的快速发展和技术创新的推动,IGBT行业的市场规模将持续增长。预计在未来几年内,全球IGBT市场规模将继续保持高速增长态势。在国家政策的支持下,国内IGBT厂商将加速技术突破和产能布局,逐步实现国产替代。未来,国内厂商将占据更大的市场份额,成为IGBT行业的重要力量。 新能源汽车、风电、光伏等新能源领域将成为IGBT行业的主要增长点。随着这些领域的快速发展,IGBT的市场需求将持续增长,为行业带来广阔的市场空间。随着国产厂商的崛起和新能源领域的快速发展,IGBT行业的竞争格局将发生...